技术编号:6992749
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体装置。背景技术在以往,研究了高电子迁移率晶体管(HEMThigh electron mobilitytransistor),其中,高电子迁移率晶体管是指在基板的上方通过晶体生长形成AlGaN层以及GaN层,并将GaN层作为电子渡越层发挥作用的晶体管。GaN的带隙是3.4eV,其大于Si的带隙(1.1eV)以及GaAs的带隙(1.4eV)。因此,GaN系的HEMT的耐压高,有望作为汽车用等的高耐压电器件。Si系的场效应晶体管中必然存在体二极管...
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