技术编号:6992948
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及一种半导体材料衬底,尤其是一种硅片的制备,该硅片适合用于电子元件的制造。更具体地说,本发明涉及一种用于处理硅片以便在其中形成一种非均匀的晶格空位分布的方法,从而在基本上任何电子器件制造过程的热处理周期中,硅片在片体中形成氧沉淀,而在表面附近形成一薄的或浅的无沉淀区。背景技术单晶硅是用于制造半导体电子元件的大多数工艺的原材料,该单晶硅通常是用所谓的直拉(CZ)法(Czochralski process)制备,其中将一单晶籽晶浸入熔化的硅中,然后...
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