技术编号：6993020
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种晶圆清洗装置和利用该晶圆清洗装置清洗晶圆的方法。 背景技术随着半导体芯片中布线层数的增多、特征尺寸的纳米化，芯片制造工艺对光 刻精度的要求越来越高。对于最小特征尺寸在0. 35um及以下的器件，必须进行全局 平面化，以满足高分辨的光刻曝光时所要求的近似苛刻的焦深问题。化学机械抛光 (chemical-mechanicalpolishing，简称CMP)是最好的也是唯一的全局平面化技术。在化 学机械抛光时，首先是存在于表面和抛光垫之间的抛光液中...
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