技术编号:6993028
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于微电子,涉及半导体器件。具体地说是一种高电子迁移率晶 体管HEMT,可用作高温高频高可靠大功率器件。背景技术作为宽禁带半导体材料的典型代表,GaN基材料具有禁带宽度大、电子饱和漂移速 度高、击穿场强高和导热性能好等特点,可用于制作高温、高频及大功率电子器件。更重要 的是,GaN基材料可以形成调制掺杂的MGaN/GaN异质结构,该结构在室温下可以获得很高 的电子迁移率,极高的峰值电子速度和饱和电子速度,并获得比第二代化合物半导体异质 结构更高的二维...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。