技术编号：6993215
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上有关于半导体制造技术，更详而言之，有关于。背景技术 现今半导体工业所不断追求的便是增加如微处理器、记忆装置等等集成电路装置的运行速度。此种追求会因为消费者对于逐渐增加运行速度的计算机与电子装置的需求而加剧。对于速度的需求已导致如晶体管等半导体装置持续的缩小。亦即，典型的场效应晶体管(FET)中的许多构件，如沟道长度、结深度、栅极绝缘厚度等等均被缩小。举例而言，在所有构件都相同的情况下晶体管的沟道长度愈小则晶体管的运行速度愈快。因此，不断的追求典...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。