技术编号:6993237
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种电阻型存储器及其制备方法和应用,尤其涉及一种SixNy基电阻型存储器及其制备方法和应用,属于微电子。背景技术电阻型非易失存储器(RRAM, resistive random access memory)由于其结构简单、与CMOS工艺兼容,并具有高速、低功耗、高密度、低成本和可突破技术代发展限制的优点而引起广泛的关注,逐渐成为新一代非易失性存储器的研究热点。电阻型存储器通过电信号的作用,使存储介质在高电阻状态(High Resistance S...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。