技术编号:6993398
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般地涉及半导体制造,更具体地涉及包含一种。背景技术集成电路技术的一个重要发展方向是按比例缩小金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的尺寸,以提高集成度和降低制造成本。然而,随着MOSFET尺寸的减小会产生短沟道效应。众所周知的是,利用超陡后退阱(SSRW),可以减小耗尽层的厚度,从而抑制短沟道效应。超陡后退阱是位于用于承载器件的半导体层的表面以下一定深度的离子注入区。超陡后退阱通常在形成栅极和源/漏区之前形成,且除了沟道区以外,所述超陡后退阱...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。