技术编号：6993453
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明主要涉及异质结双极晶体管，尤其涉及一种在集成异质结双极晶体管与互 补金属半导体(BiCMOQ工艺中形成带有抬高非本征基区的异质结双极晶体管。背景技术异质结双极晶体管(HBT，Heterojunction Bipolor Transistar)是指发射区、基区 和收集区由禁带宽度不同的材料制成的晶体管。异质结双极晶体管与传统的双极晶体管不 同，前者的发射极材料不同于衬底材料，而后者的整个材料是一样的，因而称为异质结器件。异质结双极晶体管的结构特点是具有...
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