技术编号:6993462
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种。 背景技术双极互补金属氧化半导体(Bipolar CMOS, BiCMOS)是将CMOS器件和双极器件同 时集成在同一块芯片上的技术,其基本思想是以CMOS器件为主要单元电路,而在要求驱动 大电容负载之处加入双极器件或电路。因此BiCMOS电路既具有CMOS电路高集成度、低功 耗的优点,又获得了双极电路高速、强电流驱动能力的优势。近年来,通常在双极型晶体管的硅材料中引入锗形成硅锗合金来调整能带结构, 作为双极型晶体管的基极区,这种类型的晶体...
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