技术编号:6993964
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种抗辐照EEPROM存储阵列的隔离结构,属于集成电路。 背景技术EEPROM存储阵列作为非挥发存储设备,大量用于航空与航天领域。但是由于空间 应用环境的复杂性,存储阵列常常会受到辐照的影响而使关键数据丢失或器件失效。如何 满足空间应用的需要,提高EEPROM的抗辐照性能,是多年来研究的热点。现有技术中由NMOS管形成的存储单元之间不增加额外的隔离结构,单元与单元 之间由工艺过程中的场氧进行隔离。如图1所示,该EEPROM存储单元制作在半导体衬底...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。