技术编号:6994095
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及功率场效应晶体管,具体是沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及 其制造方法。背景技术功率场效应晶体管是近几年迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率 器件具有许多优良性能如高输入阻抗,低驱动电流,没有少子存储效应,开关速度快,工 作频率高,具有负的电流温度系数,并有良好的电流自调节能力,可有效地防止电流局部集 中和热点的产生,电流分布均勻,容易通过并联方式增加电流容量,具有较强的功率处理能 力,热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿等,已广泛...
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