技术编号:6994173
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种。背景技术为了提高双极器件和集成电路的性能,通常需要在硅基底表面淀积一个或多个外延层。特别在超结技术中的P体注入过程之前,需要先在初始外延层上标上记号,然后透过所述初始外延层至上的多个外延层来对准记号。而由于在制作外延层时,由于所述外延层中的单晶硅具有取向附生的特性,而单晶硅生长的晶向与工艺有关,如果工艺正确,那么单晶硅就会沿着正确的方向生长;如果工艺不正确,那么单晶硅就不能沿着正确的晶向生长。但是由于每一外延层的材料相同...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。