技术编号：6994257
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体，特别涉及一种沟槽式MOS器件的工艺监控方法及装置。背景技术随着半导体技术的不断发展，功率器件(Power Device)作为一种新型器件，被广泛应用于如磁盘驱动、汽车电子等领域。功率器件需要能够承受较大的电压、电流以及功率负载，例如输出整流器要求能够在输入20V电压而输出大约3. 3V电压和输入IOV电压而输出大约1. 5V电压；并且要求能够具有IOV至50V范围的衰竭电压。而现有的MOS晶体管等器件无法满足上述需求，例如肖特基二极管(S...
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