技术编号:6994274
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及一种使用氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)及其制造方法、以及包括这种薄膜晶体管的显示装置。背景技术由氧化锌、氧化铟镓锌(IGZO)等构成的氧化物半导体在作为半导体器件的有源层(active layer)时表现出优良特性。近年来,已经推进了试图将氧化物半导体应用于 TFT、发光装置、透明导电膜等的开发。例如,在使用氧化物半导体的TFT中,与用于液晶显示器的使用非晶硅(a_SiH) 作为沟道的现有TFT相比,电子迁移率高并且其电特性优良。此外,使用氧...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。