技术编号：6994348
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明是关于高密度存储装置，特别是关于具有多层平面存储单元的存储装置以提供三维阵列。背景技术当集成电路中的装置的临界尺寸缩减至通常存储单元技术的极限时，设计者则转而寻求存储单元的多重叠层平面技术以达成更高的储存密度，以及每一个位较低的成本。 举例而言，薄膜晶体管技术已经应用在电荷捕捉存储器之中，可参阅如赖等人的论文"A multi-Layer Stackable Thin-FilmTransistor(TFT)NAND-Type Flash Memory ...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。