技术编号：6994494
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域中的掩模板(mask blank)用基板的制造方法、掩模板的制造方法、转印用掩模的制造方法和半导体器件的制造方法。背景技术近年来随着半导体器件的微细化，在光刻技术中使用的曝光光源的波长变短。在透过型的光刻的尖端领域作为曝光光源使用波长200nm以下的ArF准分子激光器(波长 193nm)。但是，随着微细化的要求进一步提高，难以仅通过将ArF准分子激光器作为曝光光源来解决，也需要通过斜入射照明法等实现高NA化来解决。但是随着高NA化，曝光...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。