技术编号:6994922
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体照明,特指一种图形化衬底的工艺,另外本发明还公开一种图形化衬底的结构以及采用该衬底的发光二极管芯片。背景技术以III-V族氮化镓(GaN)为代表的氮化物化合物半导体,如氮化镓(GaN)、氮化铝 (AlN)、氮化铟αηΝ)、氮化铝镓(AWaN)、氮化镓铟(InGaN)、氮化铝铟(AlInN)或氮化铝镓铟(AKialnN)等在紫外/蓝光/绿光发光二极管、激光器、太阳光盲紫外光电探测器以及高频、高温大功率电子器件等诸多领域有着重要而广泛的应用。目...
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