技术编号:6995141
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及ー种MOSFET的制造方法。背景技术当栅极长度较短吋,MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)的电容主要来源于栅极与源漏区接触插塞之间的电容,降低这个电容,可以有效提高短栅长MOSFET器件的速度和开关功耗性能。要降低栅极与源漏区接触插塞之间的电容,最有效的方法是降低栅极与源漏区之间的介电常数。目前高密度MOSFET存储器件制造一般采用自对准接触(self-alignedcontact,SAC)技术下的氮化硅侧墙结构来实现...
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