技术编号:6995241
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请涉及半导体器件和用于制造该半导体器件的方法。更特别地,本申请描述了将金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)架构与PN超级结结构相结合的半导体器件以及用于制造该器件的方法。背景技术包含集成电路(IC)或分立元件的半导体器件被广泛应用于电子设备。IC元件 (或芯片,或者分立元件)包括在半导体材料的基材上制造的小型化电子电路。所述电路包括很多重叠的层,包括包含能够扩散到基材内的掺杂剂(称为扩散层)或被注入基材内的离子(注入层)。其它层是导体(多晶硅或金属...
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