技术编号:6995345
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种无铅二极管芯片的台面制作工艺,具体涉及一种熔点大于270°C, 适用于集成电路、高压硅堆、多芯片及单芯片无铅二极管的台面制作工艺。背景技术目前,单芯片二极管的芯片台面腐蚀传统的工艺为酸洗,该工艺的缺点在于酸与无铅焊片反应导致产品断裂。本公司在之前也研究出一种碱和酸混合腐蚀,克服上述缺点的工艺,该工艺的专利号为2009101346788,为无铅二极管的台面制作工艺,但是该方法的缺点为两步碱腐蚀加酸腐蚀构成,工艺步骤相对繁多。发明内容本发明的主要...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。