技术编号:6995498
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及用于制造使用了氧化物半导体的半导体器件的方法。 背景技术近年来,用于使用氧化物半导体来形成薄膜晶体管(也称为TFT)并将薄膜晶体管 应用于电子设备等的技术备受关注。例如,专利文献1和专利文献2公开了用于使用氧化 锌或h-Ga-ai-Ο类的氧化物半导体作为氧化物半导体膜来形成图像显示装置等的开关元 件的技术。蚀刻处理是用于加工氧化物半导体的典型技术(见专利文献3和专利文献4),但 是存在问题。例如,湿法蚀刻不适合于元件的小型化,因为湿法蚀刻是各向同...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。