技术编号：6995525
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明通常涉及半导体制造，具体来说，涉及。背景技术石墨烯自从被发现以来，已成为世界各国研究小组的研究热点，它是碳的ー种新形态，由于其具有一系列独一无ニ的电学和物理学性质，成为构建纳米电子器件的理想材料。而在石墨烯MOS器件的制造中，由于石墨烯层太薄，很难对其进行高浓度掺杂，从而使包含石墨烯的MOS器件的外部电阻较大。因此，如何在石墨烯中形成掺杂，以减小包含石墨烯的MOS器件的外部电阻，成为 本领域技术人员亟待解决的技术问题。发明内容本发明提供了，利于在石墨...
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