技术编号:6995751
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种。背景技术一方面,随着超大规模集成电路(Ultra Large Scale Integration, ULSI)的快速发展,集成电路制造エ艺变得越来越复杂和精细。为了提高集成度,降低制造成本,半导体器件的关键尺寸不断变小,芯片单位面积内的半导体器件数量不断増加,在半导体器件关 键尺寸减小的同时,半导体器件图形也不断地细微化。对于MOS晶体管,当MOS晶体管的沟道长度L缩短到可与源和漏耗尽层宽度之和(Ws+Wd)相比拟时...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。