技术编号：6996109
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及发光二极管(LED)、半导体激光器(LD)等的。背景技术 从来，高辉度的发光二极管是在半导体衬底上边形成由双异质构造等构成的发光部分，其上形成电流扩散层而构成。用树脂封装该发光二极管的场合，电流扩散层的上部覆盖以用于保护器件的透明树脂。该构造中，电流扩散层(折射率3.1～3.5)和透明树脂(折射率约1.5)之间的临界角为25～29度。因此入射角大的光被全反射，向发光器件外部射出的机率显著降低。因而，实际上发生的光取出效率，现状是变成了20％左右。...
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