技术编号:6996112
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种制造半导体器件的方法,更具体地,涉及一种在半导体器件中形成具有双重多晶硅(DPS)薄膜的接触插塞的方法。背景技术 近来,接触插塞的尺寸随着半导体器件集成水平的日益提高而减小。由于接触插塞的此小尺寸,通常所使用的硅插塞的接触电阻反而增大。特别地,形成在接触插塞界面上的氧化物是增大多晶硅插塞接触电阻的原因之一。因此,进行清洁工序来去除该氧化物,以降低多晶硅插塞的接触电阻。然而,在通过借助非原位(ex-situ)清洁工艺清洁半导体衬底来去除氧化物构...
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