技术编号:6996270
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体器件测试领域,具体是针对MOS管中界面态与栅介质电荷分布的测试提取方法。背景技术近几十年来,随着电路的集成度的提高,器件尺寸也逐渐缩小到深亚微米以至纳米量级。同时,随着器件特征尺寸缩小,器件性能也在不断变化发展。但是,器件特征尺寸的减小也带来了各种可靠性问题,其中主要包括热载流子效应、NBTI以及氧化层随时间的击穿(TDDB)等。可靠性问题主要是由于外加应力导致器件内Si/Si02界面以及栅介质层中产生一些陷阱,严重影响着小尺寸器件的各种特...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。