技术编号：6996304
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体集成电路制造工艺，尤其是。 背景技术在0. 35um(微米)以上的集成电路或分离器件的后段(BEOL)制程中，通常都会用到通孔来实现栅极与金属层或层间金属的连接。通常的通孔直径大约在20 50nm左右。 但在一些分离器件如RFLDM0S (射频功率电路)或者SiGe BiCMOS (锗硅双极CMOS，由双极型门电路和互补金属氧化物半导体门电路构成，将双极工艺和CMOS工艺兼容)工艺中会采用一些沟槽型的深通孔的结构，直接与硅衬底的源极或埋层连...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。