技术编号:6996410
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体,涉及一种具有P型埋层(BPL)的纵向沟道SOI (绝缘层上半导体)nLDMOS (η沟道横向双扩散金属_氧化物_半导体场效应晶体管)器件新结构。背景技术SOI LDMOS器件由于其较高的集成度、较高的工作频率和温度、较强的抗辐照能力、极小的寄生效应、较低的成本以及较高的可靠性,作为无触点高频功率电子开关或功率放大器、驱动器在智能电力电子、高温环境电力电子、空间电力电子、交通工具电力电子和射频通信、物联网等领域具有广泛应用。传统集成纵向沟道...
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