技术编号:6996511
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体功率器件,涉及电导调制型高压功率器件,尤其 涉及一种 S0I-LIGBT 器件(SOI =Silicon On Insulator,绝缘层上硅;LIGBT =Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极性晶体管)。背景技术S0I-LIGBT器件是SOI高压集成电路的一个关键组成部分,它具有电流能力大,易 于集成的优点,但是其开关速度远比横向双扩散金属-氧化物-半导体效应晶体管(LDM0S, ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。