技术编号:6996569
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及在半导体产品中使用的存储器装置,且特别涉及一种借由结合含纳米晶体的结构而提升性能的非易失性存储器装置。背景技术在集成电路中,存储器单元结构通常用作数据存储元件,它们可大体归类为易失性存储器单元结构及非易失性存储器单元结构。易失性存储器单元结构需要持续外加电压以保存在易失性单元结构中存储的数据。相较之下,非易失性存储器单元结构即便存储器单元结构并没有另外的外加电压也能够存储电荷。非易失性存储器单元结构经常用于短暂操作的消费产品如数码相机的数据存储。...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。