技术编号:6996670
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种使用具有结晶结构的半导体膜形成的半导体器件,并涉及一种制造该半导体器件的方法。本发明还涉及一种包含场效应晶体管特别是薄膜晶体管的半导体器件,其中,包含沟道形成区的岛状半导体区由形成在绝缘表面上的结晶半导体膜形成,并涉及一种制造该半导体器件的方法。背景技术 近几年来,在衬底上形成TFT的技术得到很快的进步,其应用及有源矩阵半导体显示器件也得到发展。具体地,由于使用多晶半导体膜的TFT的场效应迁移率(也称为迁移率)比使用常规非晶半导体膜的高,使高...
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