技术编号:6996737
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体表面保护方法和表面护板,用于在晶片背侧研磨的过程中保护半导体晶片含电路的侧面。更具体地说,本发明涉及一种半导体表面保护方法和表面护板,其容许半导体晶片的超薄背面研磨,或者其容许在电路侧具有高突出例如焊料块的半导体晶片的背侧研磨。背景技术半导体晶片的减薄(此处还称作“研磨”)通常通过“背侧研磨”方法完成,其中晶片的电路侧受到表面护板保护,而研磨与电路侧相对的背侧面。硅晶片的厚度在工业级上通常是150μπι,但是理想的是更薄的晶片厚度。当晶...
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