技术编号:6996848
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储器件,具体涉及一种单极阻变存储器的新结构及其制造方法。背景技术非挥发存储器在无电源供电时仍具有保持数据的能力,因而在信息存储领域具有非常重要的地位。传统的非挥发存储器(例如闪存)存在操作电压高、速度慢、耐久力差等缺陷,因而在实际应用受到各种限制。基于过渡金属氧化物的阻变存储器(Resistive-switching Random Access Memory RRAM)具有高速度(< 5ns)、低功耗(< lv)、高集成密度以及与传...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。