技术编号:6996867
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种光吸收层的制备方法,尤其涉及一种铜铟镓硒光吸收层的制备方法。背景技术由于具有低成本的优势,薄膜太阳能电池(thin film solar cell)逐渐成为发展太阳能发电不可获缺的要角之一。现今,有不同种类的半导体化合物被用来制作薄膜太阳能电池,其中使用铜(Copper)、铟Qndium)、镓(Gallium)、硒(klenium)化合物的铜铟镓硒太阳能薄膜电池(CIGS thin film solar cells)是最具效率的一种。因此,在...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。