技术编号:6997207
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造技木,尤其涉及。背景技术金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor,M0SFET)是ー种可以广泛应用在数字电路和模拟电路中的晶体管。随着半导体结构尺寸的不断减小,栅极下方的沟道长度也随之 相应减小,从而导致短沟道效应的出现。减小短沟道效应的常用手段是形成深度较浅的源极延伸区以及漏极延伸区。为了提高半导体结构的性能,不但要降低源极和漏极的接触电阻,还需要降低...
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