技术编号:6997268
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明是有关于,属于太阳能电池制造领域。背景技术太阳能电池是将太阳能转换成光能的半导体组件。现有太阳能电池的制作包括硅片表面蚀刻;N-type扩散;绝缘及磷硅玻璃去除;抗反射层沉积;网版印刷;烧结;测试等步骤。与太阳能电池相关的原理及制作流程可以参见CN 101740659 A以及CN101872808 A,此处引用作为参考。在CN 101740659 A中,通过将掺杂金属银的浆料填充到沟槽中直接烧结形成埋栅电极,以此降低与发射极之间的接触电阻。上述现有技...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。