技术编号:6997321
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有栅电极的,具体涉及将该栅电极细线化的技术。图22~图24是表示传统的半导体装置制造方法的工序图。这些图中,图22(b)是图22(a)的P1-Q1方向的断面图,图23(b)是图23(a)的P2-Q2方向的断面图,图24(b)是图24(a)的P3-Q3方向的断面图。首先,如图22(a)、(b)所示,在形成了有源区101与分离氧化膜102的硅衬底上,形成栅氧化膜103与栅电极材料膜104,其上用光刻技术形成横穿有源区101的线状的光刻胶掩模105。接...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。