技术编号：6997503
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电探测器件增透膜制作方法，具体涉及一种用飞秒激光制备背入射硅基碲镉汞红外焦平面增透膜的方法。背景技术碲镉汞材料是一种理想的红外探测器材料，具有禁带宽度可调、内量子效率高、电子、空穴迁移率高等优点。随着红外成像探测技术在军事、航天航空、医学等领域的广泛应用，第三代红外探测系统的发展对碲镉汞红外焦平面探测器提出了新的挑战。为了满足红外探测系统更远的探测距离、更高的空间分辨率，焦平面探测器的象素规模需进一步扩大。 随着红外成像探测技术在各类平台上的广...
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