技术编号:6997761
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及磁存储器元件和磁存储器器件,并且更特别地涉及具有隧穿磁阻效应的磁存储器元件和使用该磁存储器元件的磁存储器器件。背景技术磁阻(MR)效应是由于向磁性物质施加磁场而改变电阻的现象,并且被用于磁场传感器、磁头等。特别地,作为表现出非常大的磁阻效应的巨磁阻(GMR)效应材料,已经在非专利文献 1 和 2(D. H. Mosca 等人的 “Oscillatory interlayer coupling and giant magnetoresistance...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。