技术编号:6997896
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法和制作装置。不过,现在还没有形成带有单晶碳化硅和SOI衬底特性的埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的制作方法。关于在硅衬底上形成单晶碳化硅薄膜的方法,例如,可以在硅衬底上进行等离子体型气相之类的反应,可以把这样的技术用于SOI衬底,这样在SOI衬底上形成单晶碳化硅薄膜。另外,现在SOI衬底中的表面硅层薄膜厚度超过50nm。根据在SOI衬底上形成单晶碳化硅薄膜的方法(其中,在单晶碳化硅薄膜和埋置绝缘体之间设置有硅层)...
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