技术编号:6997937
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明一般涉及一种,更确切的说,本发明涉及一种利用多晶硅的附加空置栅以。背景技术随着集成电路相关制造工艺的发展以及芯片按照比例尺寸缩小的趋势,应力工程在半导体工艺和器件性能方面所起的作用越来越明显。尤其是在一些特殊的芯片类型上, 如互补金属氧化物半导体(CMOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)器件。通常,在互补金属氧化物半导体器件的复杂制备工艺流程中存在各种各样的应力,由于器件尺寸的逐步缩小,而最终留在器件...
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