技术编号：6998317
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及电子元器件领域，尤其是半导体功率器件。 背景技术当金属电极与半导体接触会产生整流效应，这一现象被科学家肖特基(Schottky) 所发现，即发现了当金属与半导体接触，电流正、反向流过接触面时，接触面电阻值相差好几个数量级，如今这一现象被广泛应用于半导体器件上，包括许多功率器件上。目前应用的结构形式是平面型结构，N型碳化硅半导体层和上、下金属电极都是平面接触，当器件电压正向偏置时，即上金属电极为正极，下金属电极为负极，肖特基接触面电阻非常小，电流开...
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