技术编号:6998373
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体元件,尤指一种具有金属栅极的。背景技术随着半导体元件尺寸持续微缩,传统方法中利用降低栅极介电层,例如降低二氧化硅层厚度,以达到最佳化目的的方法,面临到因电子的隧穿效应(tunneling effect)而导致漏电流过大的物理限制。为了有效延展逻辑元件的世代演进,高介电常数(以下简称为high-K)材料因具有可有效降低物理极限厚度,并且在相同的等效氧化厚度(equivalent oxide thickness,以下简称为EOT)下,有效降...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。