技术编号:6998415
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于超大规模集成电路制造技术中的非易失存储器,具体涉及一种可以抑制闪存存储器编程干扰的工艺方法。背景技术以闪存为代表的非易失存储器因为其断电情况下的数据保持能力以及可多次擦写数据等优点被广泛应用于各种产品中,比如手机,笔记本,掌上电脑和固态硬盘等存储及通讯设备。其中NOR闪存因为其随机读取速度快而被广泛应用在手机等移动终端的代码存储芯片中。然而普通的NOR型闪存通常为η沟存储单元,采用沟道热电子注入方式编程,这种编程方式需要较高的位线电压(通常在4 ...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
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