技术编号:6998501
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体PN交叠结构及其制造方法,特别是指一种可弹性调整崩溃防护电压的半导体PN交叠结构及其制造方法。背景技术半导体元件中经常需要对基板进行P型与N型杂质的布植。图I为俯视图,显示基板杂质布植区的一种现有技术的安排方式,此种杂质布植区的安排方式例如可应用于高压元件中。如图所示,杂质布植区具有一 P型阱区11及一 N型阱区12,彼此分开,亦即在进行P型和N型杂质离子植入时,两者的植入区域互不重叠。在植入后的扩散过程中,P型阱区11的离子与N型阱区...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。