技术编号:6998607
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种LDMOS器件,具体涉及一种大功率RFLDM0S器件以及制备该器件的方法。背景技术RFLDM0S器件是为射频功率放大器而设计的经改进的η沟道M0SFET,是微电子集成电路与微波技术融合起来的集成化大功率固态微波功率半导体器件。LDMOS具有横向沟道结构,漏极、源极和栅极都在芯片表面,采用双扩散技术,在同一光刻窗口相继进行硼磷两次扩散,由两次杂质扩散横向结深之差可精确决定沟道长度。由于其较高的击穿电压、线性度好、效率高以及价格低廉等优势,它集中...
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