技术编号:6998638
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶硅薄膜太阳能电池领域,尤其是ー种单面电极多晶硅薄膜太阳能电池的结构及其制法。ニ背景技术太阳能作为ー种清洁的、没有任何污染的能源,以太阳能发电做为动カ供应主要来源之一的可能性,已日益引起人们关注。而解决这个技术的关键在于太阳能电池生产成本的降低和转化效率的提高。光伏行业的相关技术人员为了提高太阳能电池的转化效率,在传统结构的基础上做了大量的技术创新及改进。如一种结构包括表层、缓冲层、含至少ー个P-N结的光吸收区、过渡层、P或N型区的集电栅和电极的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。