技术编号:6998787
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成电路领域,特别是涉及一种超级结半导体器件结构。本发明还涉及一种超级结半导体器件的制作方法。背景技术超级结MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)因其具有超级结结构,即在半导体衬底上具有交替排列的P型和N型硅外延柱层,使得该器件在截止状态下P型区和N 型区的PN结产生耗尽层,从而提高器件的耐压。在超级结半导体器件的设计过程中,除了需要元胞区域有足够高的耐压外,其终端区域结构的设计也对超级结耐压高低起到关键作用。通常的终端区域结构被设...
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