技术编号:6998839
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于超大规模集成电路中的非挥发性半导体存储器,具体涉及一种改进型的基于TFET(Tunneling Field Effective Transistor)的快闪存储器及其制备方法。背景技术随着半导体行业的快速发展,各类消费类电子产品大量出现。非挥发性半导体存储器作为存储部分的重要部件,也被大量应用于各类电子产品中,并且性能要求也越来越严格。快闪存储器(Flash Memory,也称闪存),是一种在业界得到大面积使用的非挥发性半导体存储器。为了适应每一...
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