技术编号:6998947
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。描述的技术总体涉及一种薄膜晶体管和一种包括该薄膜晶体管的显示装置,更具体地讲,涉及这样一种薄膜晶体管,在该薄膜晶体管中,因为阈值电压的变化量小,所以可靠性优异。背景技术薄膜晶体管通常设置有半导体层、栅电极、源电极和漏电极,半导体层设置有源区、漏区及设置在源区和漏区之间的沟道区。此外,半导体层可以包括多晶硅或非晶硅,由于多晶硅的电子迁移率高于非晶硅的电子迁移率,所以目前主要采用多晶硅。多晶硅薄膜晶体管分为栅电极设置在半导体层的沟道区上的顶栅型和栅电极设置在半...
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